DIO82612新产品发布

时间:2021-07-18 小编: 浏览:386次

帝奥微全新一代GaN快充方案


——高频同步整流DIO82612




帝奥微MHz级高频同步整流,适用于当前最火热的氮化镓(GaN)大功率快充应用,采样独有的专利技术:快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制,不仅具备完美匹配QRACF系统的高兼容性,同时更适于深度CCM模式,增强了安全工作稳定性。利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计,有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。

产品特性:


1支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑
2MOSFET VDS采样耐压高达230 V
3最大开关频率
–DIO82612 为 800 kHz
–DIO826111MHz
4VIN范围:5~30V
5栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力
6自适应最小Toff时间,提高抗噪能力
7兼容高压侧或低压侧整流
8低启动电流:100μATyp.
9低待机电流:300μATyp.
10关断传播延迟:20nsTyp.
119.5V驱动钳位电压

DIO82612经过实验室全面验证和严苛的老化考核,非常适合高功率密度中大功率快充应用。
现已开始向市场提供样片申请。(请见文章末尾申请方法)


1  DIO82612订购信息

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2  DIO82612高频同步整流——SR

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系统原理图


3  DIO82612 Application SPEC

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2  65W QR System Schematic Diagram




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3  Demo 图片


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图4  DIO82612 Efficiency VS Load Over Output Range



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图5  DIO82612 Standby power VS 10% Load Efficiency


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图6  DIO82612 采用预关闭机制,更适于CCM模式的安全稳定工作


高效率的大电流充电产品市场爆发,基于氮化镓第三代功率半导体(GaN)的小体积充电适配器在高端机型上的应用日益广泛,并有走向全机型普及的趋势。为实现高频化和充电功率密度的持续提升,需要突破开关电源原边控制和副边同步整流的关键技术。同时,随着高频条件下变压器铁芯材料、漏电损耗、开关损耗的不断改进,GaN充电适配器的效率和原边控制器的开关频率将进一步提升,变压器的体积也将进一步小型化,当开关频率达到MHz级时,主流65W以上 GaN充电器也将拓展ACF构架,搭配MHz级别的副边同步整流芯片将成为主流选择

DIO82612提供可简化设计的集成功能,可在各种应用和频率中发挥出色的性能。DIO82612具备高效特性,满足能源之星 (Energy Star) VI级和行为准则 (CoC) 2级等严格能效标准,非常适用于极致小体积的中大功率GaN快充应用场景。

样片申请连接:

https://www.dioo.com/cn/serve/apply.html

或者您还可以通过以下方式获取样片。

样片申请邮箱:sample@dioo.com

电话:021-62116882/0755-82559102

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