帝奥微全新一代GaN快充方案
——高频同步整流DIO82612
帝奥微MHz级高频同步整流，适用于当前最火热的氮化镓（GaN）大功率快充应用，采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制，不仅具备完美匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。产品特性：
1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑DIO82612经过实验室全面验证和严苛的老化考核，非常适合高功率密度中大功率快充应用。现已开始向市场提供样片申请。（请见文章末尾申请方法）
表1 DIO82612订购信息
表2 DIO82612高频同步整流——SR
图1 系统原理图
表3 DIO82612 Application SPEC
图2 65W QR System Schematic Diagram
图3 Demo 图片
图4 DIO82612 Efficiency VS Load Over Output Range
图5 DIO82612 Standby power VS 10% Load Efficiency
图6 DIO82612 采用预关闭机制，更适于CCM模式的安全稳定工作
高效率的大电流充电产品市场爆发，基于氮化镓第三代功率半导体(GaN)的小体积充电适配器在高端机型上的应用日益广泛，并有走向全机型普及的趋势。为实现高频化和充电功率密度的持续提升，需要突破开关电源原边控制和副边同步整流的关键技术。同时，随着高频条件下变压器铁芯材料、漏电损耗、开关损耗的不断改进，GaN充电适配器的效率和原边控制器的开关频率将进一步提升，变压器的体积也将进一步小型化，当开关频率达到MHz级时，主流65W以上 GaN充电器也将拓展至ACF构架，搭配MHz级别的副边同步整流芯片将成为主流选择。DIO82612提供可简化设计的集成功能，可在各种应用和频率中发挥出色的性能。DIO82612具备高效特性，满足能源之星 (Energy Star) VI级和行为准则 (CoC) 2级等严格能效标准，非常适用于极致小体积的中大功率GaN快充应用场景。样片申请连接：
https://www.dioo.com/cn/serve/apply.html
或者您还可以通过以下方式获取样片。
样片申请邮箱：sample@dioo.com
电话：021-62116882/0755-82559102
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